| 退火温度对Pt／SrBi2Ta2O9／BiaTi3O12／p—Si异质结微观结构与性能的影响 |
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| 引用本文： | 任明放,王华.退火温度对Pt／SrBi2Ta2O9／BiaTi3O12／p—Si异质结微观结构与性能的影响[J].无机材料学报,2008,23(4). |
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| 作者姓名： | 任明放 王华 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,桂林541004 |
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| 摘 要： | 采用sol-gel工艺制备了Pt／SrBi2Ta2O9／Bi4Ti3O12／p—Si异质结．研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响．研究表明：成膜温度较低时，SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜，但随退火温度升高，Bi4Ti3O12薄膜沿C轴择优生长的趋势增强；经不同退火温度处理的Pt／SrBi2Ta2O9／Bi4Ti3O12／p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性，且回滞窗口随退火温度升高而增大，经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0．78V；在550～700℃范围内，Pt／SrBi2Ta2O9／Bi4Ti3O12／p—Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降，当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大，经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2．54×10^-7A／cm^2的最低值．
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| 关 键 词： | 退火温度 SrBi2Ta2O9 Bi4TiaO12 异质结 |
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