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脉冲准分子激光CuO-SnO_2薄膜沉积及其结构分析
引用本文:方国家,刘祖黎,张增常,王豫,刘春,王昕玮,姚凯伦.脉冲准分子激光CuO-SnO_2薄膜沉积及其结构分析[J].无机材料学报,1996(4).
作者姓名:方国家  刘祖黎  张增常  王豫  刘春  王昕玮  姚凯伦
作者单位:华中理工大学物理系,襄阳师范高等专科学校,华中理工大学国家激光重点实验室
基金项目:国家自然科学基金,湖北省教委资助
摘    要:采用脉冲准分子激光沉积(PLD)技术,分别在Si(111)单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高a轴(200)取向的CuO掺杂的SnO2薄膜。X射线衍射(XRD)及透射电镜(TEM扫描附件)分析表明:在Si(111)片上沉积,400~500℃退火温度处理的薄膜,只有(200)峰存在;当退火温度升高到600~700℃时,SnO2的其余诸峰相应出现,薄膜呈多晶态,取向度降低,晶粒尺寸变大,晶粒分界明显.在玻璃基片上沉积的薄膜,经400℃低温处理后,(200)取向度很小;随着退火温度的升高,达到500℃时薄膜呈高a轴(200)取向生长,结晶度较好,晶粒分布均匀.

关 键 词:高a轴(200)取向,CuO-SnO_2薄膜,脉冲激光沉积(PLD),结构分析

Preparation and Structural Properties of CuO-SnO_2 Thin Films by Pulse Excimer Laser Ablation
Fang Guojia, Liu Zuli, Zhang Zengchang, Wang Yu, Liu Chun, Wang Xinwei, Yao Kailun.Preparation and Structural Properties of CuO-SnO_2 Thin Films by Pulse Excimer Laser Ablation[J].Journal of Inorganic Materials,1996(4).
Authors:Fang Guojia  Liu Zuli  Zhang Zengchang  Wang Yu  Liu Chun  Wang Xinwei  Yao Kailun
Abstract:
Keywords:highly a-axis (200) preferential growth  CuO-SnO_2 thin films  PLD technique  structural analysis  
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