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| 非晶Er2O3高 k栅介质薄膜的制备及结构特性研究 | |
| 引用本文： | 方泽波,谭永胜,朱燕艳,陈圣,蒋最敏.非晶Er2O3高 k栅介质薄膜的制备及结构特性研究[J].无机材料学报,2008,23(2):357-360. |
| 作者姓名： | 方泽波 谭永胜 朱燕艳 陈圣 蒋最敏 |
| 作者单位： | 1. 绍兴文理学院,物电系,绍兴312000;复旦大学,应用表面物理国家重点实验室,上海200433 2. 绍兴文理学院,物电系,绍兴312000 3. 复旦大学,应用表面物理国家重点实验室,上海200433 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 绍兴市科技基金 |
| 摘 要： | 采用高真空反应蒸发法在未加热的P型Si(100)衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比. X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜足非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er2O3薄膜获得了平整的表面.电容.电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10-4A/cm2.这些特征表明非晶Er2O3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料. |
| 关 键 词： | 高k栅介质 Er2O3薄膜 反应蒸发 非晶结构 栅介质 膜的制备 结构特性 研究 Films Amorphous Characteristics Structural 材料 特征表 漏电流密度 有效介电常数 电压测试 电容 表面形貌 改善 真空退火 检测显示 高分辨透射电子显微镜 |
| 文章编号： | 1000-324X(2008)02-0357-04 |
| 收稿时间： | 2007-4-17 |
| 修稿时间： | 2007年4月17日 |
Structural Characteristics of Amorphous Er2O3 Films Grown on Si (001) by Reactive Evaporation |
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| FANG Ze-Bo,TAN Yong-Sheng,ZHU Yan-Yan,CHEN Sheng,JIANG Zui-Min.Structural Characteristics of Amorphous Er2O3 Films Grown on Si (001) by Reactive Evaporation[J].Journal of Inorganic Materials,2008,23(2):357-360. | |
| Authors: | FANG Ze-Bo TAN Yong-Sheng ZHU Yan-Yan CHEN Sheng JIANG Zui-Min |
| Affiliation: | 1.DepartmentofPhysics,ShaoxingUniversity,Shaoxing312000,China;2.SurfacePhysicsLaboratory,FudanUniversity,Shanghai200433,China |
| Abstract: | |
| Keywords: | high k dielectric film Er2O3 reactive evaporation |
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