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基体偏压和反应气体分压强对溅射导电膜电阻率的影响
作者姓名:仲永安 张怀武
作者单位:陕西师范大学物理系(仲永安,张怀武),陕西师范大学物理系(许武毅)
摘    要:本文就基体偏压和反应气体分压强对溅射导电膜电阻率的影响作了理论分析,得到 了理论公式及变化曲线,给出了用三极溅射制得的氧化铟锡(简称ITO)透明导电膜的 电阻率随基体偏压和氧分压强变化的实验结果。并就理论曲线和实验曲线进行了比较。

关 键 词:膜 溅射气体 分压强 电阻率
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