| 掺磷纳米硅薄膜的制备及介观力学性质与介观接触电阻的研究 |
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| 引用本文： | 王君雄,丁建宁,程广贵,袁宁一,何宇亮,坎标,潘海滨.掺磷纳米硅薄膜的制备及介观力学性质与介观接触电阻的研究[J].真空,2009,46(6). |
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| 作者姓名： | 王君雄 丁建宁 程广贵 袁宁一 何宇亮 坎标 潘海滨 |
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| 作者单位： | 王君雄,程广贵,何宇亮,坎标,潘海滨(江苏大学微纳米科学技术研究中心,镇江,江苏,212013);丁建宁(江苏大学微纳米科学技术研究中心,镇江,江苏,212013;江苏工业学院,常州,江苏,213016);袁宁一(江苏工业学院,常州,江苏,213016) |
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| 摘 要： | 采用PECVD法制备的纳米硅薄膜是一种具有特殊性能的人工材料.它是由大量具有纳米量级的硅微品粒构成,纳米硅晶粒镶嵌在由非晶硅构成网络中,其晶粒所占的体积百分比为Xc≈50%,从而决定了其特有的性质.本文通过严格控制薄膜生长的工艺参数,得到了掺磷纳米硅薄膜,并通过原位纳米力学电学测试系统对其力学和电学性质进行测试,发现掺磷纳米硅薄膜的纳米硬度为5 GPa,而其杨氏模量随着压入深度的增加而增大,其接触电阻与薄膜的结构密切相关.这些属性对于纳米硅薄膜微器件的制备具有重要的参考意义.
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| 关 键 词： | 纳米硅薄膜 掺磷 纳米接触电流 纳米压痕 |
Mesoscopic study on mechanic properties and contact resistance of P-doped Si:H nanofilms |
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