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| 磁控溅射制备纳米二氧化钒半导体薄膜及表征 | |
| 引用本文： | 王安福,刘亚丽,叶佳宇,王靖林.磁控溅射制备纳米二氧化钒半导体薄膜及表征[J].真空,2010,47(2). |
| 作者姓名： | 王安福 刘亚丽 叶佳宇 王靖林 |
| 作者单位： | 1. 郧阳师范高等专科学校物理系,湖北,丹江,442700 2. 郧阳师范高等专科学校物理系,湖北,丹江,442700;云南大学物理科学技术学院物理系,云南,昆明,650091 3. 云南大学物理科学技术学院物理系,云南,昆明,650091 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，云南省自然科学基金资助项目，云南大学校基金项目 |
| 摘 要： | 本文采用射频磁控溅射法,结合氩气气氛退火工艺制备了VO2薄膜。通过优化磁控溅射和热退火工艺,结合激光拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、电镜扫描(SEM)对薄膜的相结构、组分和表面形貌进行分析。结果表明:溅射衬底温度为150℃,在450℃氩气气氛退火2.5 h能制备出高质量的VO2薄膜,表面呈米粒状,有一定的取向性。 |
| 关 键 词： | VO2薄膜 磁控溅射 退火 氩气气氛 表征 |
Preparation and properties of VO_2 semiconductor nanofilms by R.F. magnetron sputtering |
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| WANG An-fu,LIU Ya-li,YE Jia-yu,WANG Jing-lin.Preparation and properties of VO_2 semiconductor nanofilms by R.F. magnetron sputtering[J].Vacuum,2010,47(2). | |
| Authors: | WANG An-fu LIU Ya-li YE Jia-yu WANG Jing-lin |
| Affiliation: | WANG An-fu1,LIU Ya-li1,2,YE Jia-yu2,WANG Jing-lin2(1.Department of Physics,Yunyang Teachers College,Danjiang 442700,Chian,2.Department of Physics,Science , Engineering,Yunnan University,Kunming 650091,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | VO2 nanofilms RF magnetron sputtering annealing argon atmosphere characterization |
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