Ce掺杂SnO_2材料结构和光学性质的研究 |
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引用本文: | 单麟婷,巴德纯,林义涵,李建昌.Ce掺杂SnO_2材料结构和光学性质的研究[J].真空,2014(1). |
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作者姓名: | 单麟婷 巴德纯 林义涵 李建昌 |
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作者单位: | 东北大学机械工程与自动化学院真空与流体工程研究中心; |
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摘 要: | 基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,用广义梯度近似(GGA)PBE交换相关泛函,研究稀土Ce掺杂的SnO2材料能带结构和光学性质,对纯SnO2和掺杂后的能带结构、态密度以及光学性质进行了分析对比。结果表明,掺杂后材料均属直接跃迁半导体,Ce的4f轨道进入导带使导带底向低能端移动,禁带宽度变小,吸收光谱与介电函数虚部谱线相对应,吸收谱发生红移,峰强减弱,各峰值与电子跃迁吸收有关。因此,本文可对接下来的实验研究有一定借鉴作用。
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关 键 词: | SnO Ce 第一性原理 光学性质 |
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