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| 用SiCl4／O2—PECVD技术低温沉积Si基厚SiO2薄膜 | |
| 引用本文： | 余云鹏,吴永俊,等.用SiCl4／O2—PECVD技术低温沉积Si基厚SiO2薄膜[J].真空,2001(4):30-33. |
| 作者姓名： | 余云鹏 吴永俊 |
| 作者单位： | [1]汕头大学，广东汕头515063 [2]汕头超声电子集团，广东汕头515041 |
| 摘 要： | 选取不含H2的SiCl4/O2混合气体作为反应源气体，并利用普通的PECVD技术来实现低温沉积Si基微米厚度的SiO2薄膜，测试并分析薄膜的红外吸收谱以及工艺参数对沉积过程的影响。 |
| 关 键 词： | 二氧化硅薄膜 SiCl4 PECVD 低温沉积 四氯化硅 制备 红外吸收谱 工艺参数 |
| 文章编号： | 1002-0322(2001)04-0030-04 |
| 修稿时间： | 2001年4月13日 |
Using SiCl4/O2-PECVD to deposite thick silica films on silicon at low temperature |
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