| 水热法制备PLZT多元铁电薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 孙彤,孙平,吴冲若.水热法制备PLZT多元铁电薄膜的研究[J].真空科学与技术学报,2000,20(1):19-21. |
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| 作者姓名： | 孙彤 孙平 吴冲若 |
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| 作者单位： | 孙彤(东南大学电子工程系 南京 210096) |
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| 基金项目： | 国家自然基金资助项目!(59482005) |
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| 摘 要： | 研究了在水热条件下制备PLZT(8/65/35)多元铁电薄膜的优化工艺条件。讨论了反应温度，反应历程，反应时间等不同工艺条件对PLZT多元铁电薄膜结构、结晶取向的影响。结果表明，采用两步法合成工艺能够在Ti基片上制备出纯钙钛矿相结构，粒径为1
μm，薄膜厚度为5 μm,介电常数为ε=450的PLZT(8/65/35)多元铁电薄膜。
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| 关 键 词： | 水热法 掺镧改性的锆钛酸铅 薄膜 |
| 修稿时间： | 1999年03月02 |
Preparation of PLZT Films
Using Hydrothermal Method |
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| Sun Tong,Sun Ping,Wu Chongruo.Preparation of PLZT Films
Using Hydrothermal Method[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2000,20(1):19-21. |
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| Authors: | Sun Tong Sun Ping Wu Chongruo |
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| Affiliation: | Sun Tong,Sun Ping,Wu Chongruo
(Department of Electronic Engineering,Southeast University,Nanjing,210096) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Hydrothermal PLZT Film |
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