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| 真空环境中多场耦合对Au/Cu/Si薄膜界面结构的影响 | |
| 引用本文： | 严楷,曹江利,姚文清,严谨,李展平,朱永法. 真空环境中多场耦合对Au/Cu/Si薄膜界面结构的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2013, 33(8) |
| 作者姓名： | 严楷 曹江利 姚文清 严谨 李展平 朱永法 |
| 作者单位： | 1. 北京科技大学新材料技术研究院 北京100083;清华大学化学系 北京100084 2. 北京科技大学新材料技术研究院 北京100083 3. 清华大学化学系 北京100084 |
| 基金项目： | 科技部创新方法工作专项，江苏省大气环境监测与污染控制高技术研究重点实验室(南京信息工程大学)开放课题 |
| 摘 要： | 采用磁控溅射方法在Si基底上制备了Au/Cu薄膜.利用扫描俄歇微探针(SAM)纳米化分析技术进行表面成分分析与深度剖析,研究在真空环境中,紫外辐照、微氧氧含量及处理温度等因素作用对Au/Cu薄膜界面结构的影响.实验结果表明:环境温度的升高,使薄膜内缺陷增加,为Cu原子的扩散提供了更多的扩散通道；紫外辐照产生了等同的热效应,加剧了Cu原子在Au层中的扩散；微氧的存在诱导了Cu原子的扩散.三种因素协同作用下,诱导迁移扩散机制在室温下形成,并于处理温度达到100℃后趋于稳定. |
| 关 键 词： | 薄膜 扫描俄歇微探针 真空环境 紫外辐照 微氧 迁移扩散 |
Influence of Multi-Field Coupling on Interface Structures of Au/Cu/Si in Vacuum |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Film SAM Vacuum environment UV irradiation Micro-aerobic Relocation diffusion |
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