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真空环境中多场耦合对Au/Cu/Si薄膜界面结构的影响
引用本文:严楷,曹江利,姚文清,严谨,李展平,朱永法. 真空环境中多场耦合对Au/Cu/Si薄膜界面结构的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2013, 33(8)
作者姓名:严楷  曹江利  姚文清  严谨  李展平  朱永法
作者单位:1. 北京科技大学新材料技术研究院 北京100083;清华大学化学系 北京100084
2. 北京科技大学新材料技术研究院 北京100083
3. 清华大学化学系 北京100084
基金项目:科技部创新方法工作专项,江苏省大气环境监测与污染控制高技术研究重点实验室(南京信息工程大学)开放课题
摘    要:采用磁控溅射方法在Si基底上制备了Au/Cu薄膜.利用扫描俄歇微探针(SAM)纳米化分析技术进行表面成分分析与深度剖析,研究在真空环境中,紫外辐照、微氧氧含量及处理温度等因素作用对Au/Cu薄膜界面结构的影响.实验结果表明:环境温度的升高,使薄膜内缺陷增加,为Cu原子的扩散提供了更多的扩散通道;紫外辐照产生了等同的热效应,加剧了Cu原子在Au层中的扩散;微氧的存在诱导了Cu原子的扩散.三种因素协同作用下,诱导迁移扩散机制在室温下形成,并于处理温度达到100℃后趋于稳定.

关 键 词:薄膜  扫描俄歇微探针  真空环境  紫外辐照  微氧  迁移扩散

Influence of Multi-Field Coupling on Interface Structures of Au/Cu/Si in Vacuum
Abstract:
Keywords:Film  SAM  Vacuum environment  UV irradiation  Micro-aerobic  Relocation diffusion
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