| 氮化铝压电薄膜的晶面择优取向 |
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| 引用本文： | 武海顺,许小红,金志浩.氮化铝压电薄膜的晶面择优取向[J].真空科学与技术学报,2000,20(6):442-446. |
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| 作者姓名： | 武海顺 许小红 金志浩 |
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| 作者单位： | 山西师范大学化学系!临汾041004(武海顺，张富强)，西安交通大学!博士研究生(许小红)，西安交通大学材料学院!西安710049(金志浩) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金! (批准号 :2 97410 0 4)，山西省自然科学基金! (批准号 :9910 5 6 )，教育部骨干教师资助计划联合资助 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控反应溅射方法 ,在Si(111)基片上成功地沉积了表面粗糙度小、组成均匀、以 (10 0 )面和 (0 0 2 )面择优取向的AlN薄膜 ,研究了溅射气压、溅射功率和靶基距对AlN薄膜结构及晶面取向的影响。结果表明 ,溅射气压低 ,靶基距短 ,有利于以 (0 0 2 )面择优取向 ;相反 ,溅射气压高 ,靶基距长 ,则对 (10 0 )面择优取向有利 ;溅射功率过高或过低均不利于晶面择优取向。并从Al—N化学键的形成以及溅射粒子平均自由程的角度探讨了AlN压电薄膜晶面择优取向。
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| 关 键 词： | 氮化铝薄膜 择优取向 化学键 平均自由程 |
| 修稿时间： | 2000-05-08 |
Studies of Preferential Orientation of AlN Piezoelectric Thin Films |
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| Wu Haishun,Xu Xiaohong,Zhang Fuqiang.Studies of Preferential Orientation of AlN Piezoelectric Thin Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2000,20(6):442-446. |
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| Authors: | Wu Haishun Xu Xiaohong Zhang Fuqiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN thin films Preferential orientation Chemical bond Mean free path |
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