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用低能电子衍射谱仪(LEED)观察氢终止的Si(111)表面
引用本文:李晴,胡晓晖,林彰达.用低能电子衍射谱仪(LEED)观察氢终止的Si(111)表面[J].真空科学与技术学报,1994(1).
作者姓名:李晴  胡晓晖  林彰达
作者单位:中国科学院表面物理国家重点实验室!北京100080
摘    要:本文描述了一种得到无重构的理想的氢终止Si(111)表面的化学处理方法,用这种方法得到的表面,可以用低能电子衍射谱仪(LEED)进行结构研究。本实验使用我们自己设计加工的电子背轰击式加热器,作品可加热到800℃以上,亦可冷却到液氮温度。文中对氢终止Si(111)表面的研究的初步结果作一概述,给出了表面覆盖氢化物的LEED研究证据。

关 键 词:低能电子  衍射  氢终止

H TERMINATION OF Si(111) SURFACE OBSERVED BY LOW ENERGY ELECTRON DIFFRACTION
Li Qing, Hu Xiaohui, Lin Zhangda.H TERMINATION OF Si(111) SURFACE OBSERVED BY LOW ENERGY ELECTRON DIFFRACTION[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,1994(1).
Authors:Li Qing  Hu Xiaohui  Lin Zhangda
Abstract:
Keywords:Low energy electron  Diffraction  H termination
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