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X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用
引用本文:孙宝银,陈梦真,朱樟震,伊福廷.X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用[J].真空科学与技术学报,1995(3).
作者姓名:孙宝银  陈梦真  朱樟震  伊福廷
作者单位:中国科学院微电子中心!北京100010(孙宝银,陈梦真),中国科学院高能物理研究所!北京100039(朱樟震,伊福廷)
摘    要:阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上,采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30~40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。

关 键 词:镂空硅掩模  X射线  深层光刻  同步辐射

APPLICATION OF X-RAY STENCIL SILICON MASK IN SYNCHROTRON RADIATION X-RAY DEEP LITHOGRAPHY
Sun Baoyin, Chen Mengzhen, Zhu Zhangzhen, Yi Futing.APPLICATION OF X-RAY STENCIL SILICON MASK IN SYNCHROTRON RADIATION X-RAY DEEP LITHOGRAPHY[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,1995(3).
Authors:Sun Baoyin  Chen Mengzhen  Zhu Zhangzhen  Yi Futing
Abstract:
Keywords:Stencil silicon mask  X-ray  Deep lithography  Synchrotron radiation
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