| TiN镀膜玻璃的常压化学气相沉积法制备及其光电性能研究 |
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| 引用本文： | 张涛,赵高凌,韩高荣.TiN镀膜玻璃的常压化学气相沉积法制备及其光电性能研究[J].真空科学与技术学报,2005,25(4):309-311. |
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| 作者姓名： | 张涛 赵高凌 韩高荣 |
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| 作者单位： | 浙江大学材料系硅国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 本研究以TiCl4和NH3为反应气体,N2为保护气氛,用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃基板上沉积制备得到了一系列不同反应温度和原料浓度的TiN薄膜.利用X射线衍射(XRD)和方块电阻仪研究了反应温度和原料浓度对薄膜结晶性能和电性能的影响规律.研究结果表明随着基板温度升高、TiCl4浓度的增加,薄膜结晶性能提高,同时电阻率降低.在反应温度为600 ℃时得到了结晶性能较好的TiN薄膜,其方块电阻为186.7 Ω,红外光反射率为0.2526.
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| 关 键 词： | 常压化学气相沉积 方块电阻 |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）04-0309-03 |
| 收稿时间： | 2004-12-01 |
| 修稿时间： | 2004年12月1日 |
Growth and Properties of TiN Films on Glass by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition |
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| Zhang Tao,Zhao Gaoling,Han Gaorong.Growth and Properties of TiN Films on Glass by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2005,25(4):309-311. |
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| Authors: | Zhang Tao Zhao Gaoling Han Gaorong |
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| Keywords: | TiN |
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