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| 退火温度对CuGa_(0.8)Ge_(0.2)Se_2薄膜结构及光学特性的影响 | |
| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积法在SiO2衬底上制备了CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜。采用X射线衍射和X射线能谱仪研究了退火温度对薄膜晶体结构和成分的影响,利用扫描电子显微镜表征了薄膜的表面形貌,采用紫外—可见分光光度计分析了薄膜的光学特性。结果表明,在CuGaSe2中掺杂Ⅳ族元素Ge,光子吸收能量分别为0.65和0.92 e V,禁带宽度为1.57 e V,能够形成中间带。并随着退火温度的升高,CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜的光学带隙逐渐减小。 |
| 关 键 词： | 退火温度 中间带 脉冲激光沉积法 CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜 |
Influence of Annealing Temperature on Microstructures and Optical Properties of CuGa0.8Ge0.2Se2 Films |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Annealing temperature Intermediate band PLD CuGa0 8Ge0 2Se2 film |
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