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| ZnO上肖特基接触的研究进展 | |
| 引用本文： | 方亮,董建新,张淑芳,张文婷,彭丽萍,吴芳,孔春阳.ZnO上肖特基接触的研究进展[J].真空科学与技术学报,2008,28(2):126-132. |
| 作者姓名： | 方亮 董建新 张淑芳 张文婷 彭丽萍 吴芳 孔春阳 |
| 作者单位： | 1. 重庆大学应用物理系,重庆,400044;重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆,400044 2. 重庆大学应用物理系,重庆,400044 3. 重庆师范大学物理与信息技术学院,重庆,400047 |
| 基金项目： | 教育部跨世纪优秀人才培养计划 , 重庆市科技攻关项目 , 重庆市自然科学基金 , 重庆大学校科研和教改项目 |
| 摘 要： | 由于ZnO存在本征施主缺陷(锌间隙和氧空位),使得表面存在较高浓度的施主能级,难以获得肖特基接触.本文回顾了近年来在n型ZnO上制备肖特基接触的研究进展,对n型ZnO上制备肖特基接触的Au、Pt、Pd、Ag等金属方案的性能与特点,以及影响接触性能等因素,如表面处理和退火等进行了分析与归纳.同时,对P型ZnO上难以获得肖特基接触的原因进行了讨论.另外,由于Au、Pt等金属普遍存在热稳定差的问题,会降低ZnO基大功率器件的寿命,寻找能与n型ZnO能形成高热稳定性、低泄露电流、高势垒高度的肖特基接触材料是未来ZnO上肖特基光电器件的发展方向. |
| 关 键 词： | ZnO 肖特基接触 泄露电流 理想因子 肖特基接触 研究进展 Substrates Schottky 方向 发展 光电器件 接触材料 势垒高度 泄露电流 高热稳定性 寿命 功率器件 问题 分析 退火 表面处理 因素 接触性能 影响 |
| 文章编号： | 1672-7126(2008)02-126-07 |
| 修稿时间： | 2007年5月21日 |
Latest Progress of Schottky Contacts Fabricated on ZnO Substrates |
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| Fang Liang,Dong Jianxin,Zhang Shufang,Zhang Wenting,Peng Liping,Wu Fang,Kong Chunyang.Latest Progress of Schottky Contacts Fabricated on ZnO Substrates[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2008,28(2):126-132. | |
| Authors: | Fang Liang Dong Jianxin Zhang Shufang Zhang Wenting Peng Liping Wu Fang Kong Chunyang |
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