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| 透明导电薄膜ZnO:Mn的低温制备及性能研究 | |
| 引用本文： | 张化福,杨书刚,王永在,郭红,刘汉法.透明导电薄膜ZnO:Mn的低温制备及性能研究[J].真空科学与技术学报,2011,31(6). |
| 作者姓名： | 张化福 杨书刚 王永在 郭红 刘汉法 |
| 作者单位： | 1. 山东理工大学理学院 淄博255049 2. 山东理工大学教务处 淄博255049 3. 山东理工大学材料分析测试中心 淄博255049 |
| 基金项目： | 山东省自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锰氧化锌(ZnO:Mn)透明导电薄膜.实验制备的ZnO:Mn为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向.实验结果表明,靶与衬底之间的距离对ZnO:Mn薄膜的生长速率、残余应力及电学性能有很大影响,而对薄膜的晶粒尺寸和光学性能影响不大.考虑薄膜的电学、光学及力学性能,认为靶与衬底之间的最佳距离为7.0 cm.在此条件下制备的ZnO:Mn薄膜的电阻率达到4.2×10-4 Ω·cm,可见光透过率为86.6％,丽残余应力仅为-0.025 GPa. |
| 关 键 词： | ZnO: Mn 透明导电薄膜 靶与衬底之间的距离 应力 |
Low Temperature Growth and Properties of Transparent Conducting ZnO: Mn Films |
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| Zhang Huafu,Yang Shugang,Wang Yongzai,Guo Hong,Liu Hanfa.Low Temperature Growth and Properties of Transparent Conducting ZnO: Mn Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2011,31(6). | |
| Authors: | Zhang Huafu Yang Shugang Wang Yongzai Guo Hong Liu Hanfa |
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