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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
铁电PZT系列薄膜结构和性能的研究
作者姓名:
卢德新
李佐宜
刘兴阶
黄龙波
傅焰峰
林更琪
作者单位:
华中理工大学固体电子学系!武汉430074
摘 要:
采用射频磁控溅射技术制备了铁电PZT薄膜。研究了不同温度烧结的靶材与溅射薄膜成分的关系,深入探讨了薄膜的退火工艺对薄膜晶体结构和铁电性能的影响。认为当靶材原始配方相同时,则低温(900℃)烧结的靶材使得薄膜中有过剩的PbO存在,有利于改善和提高薄膜的铁电性能;而高温(1200℃)烧结的靶材,由于退火后薄膜中PbO的含量小于化学计量比,使得薄膜的铁电性能变差。实验表明,薄膜的最佳退火条件为600~650℃,60min,典型的剩余极化强度为13.2μC/cm2,矫顽场为55.5kV/cm2。
关 键 词:
射频磁控溅射
锆钛酸铅薄膜
晶体结构
电性能
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