| 脉冲偏压对电弧离子镀TiNbN硬质薄膜相结构的影响 |
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| 引用本文： | 肖微,赵彦辉,林国强,董闯,闻立时.脉冲偏压对电弧离子镀TiNbN硬质薄膜相结构的影响[J].真空科学与技术学报,2005,25(5):319-322. |
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| 作者姓名： | 肖微 赵彦辉 林国强 董闯 闻立时 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 |
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| 摘 要： | 用电弧离子镀设备,在其他工艺参数相同的条件下,通过仅改变脉冲偏压幅值的方法分别沉积TiNbN硬质薄膜,考察脉冲偏压对薄膜相结构的影响.结果表明,TiNbN硬质薄膜的相结构随脉冲偏压幅值的变化而变化:当幅值为-300 V时,得到TiN类型的(TiNb)N的固溶体;-600 V时,得到TiN和δ-NbN的混合相结构;而在-900 V时,则得到TiN和δ-NbN以及β-Nb2N三相混合结构.分析表明,脉冲偏压能够改变薄膜相结构,这与不同偏压提供的离子沉积能量,能够分别满足各个化合物生成自由能的热力学条件有关.
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| 关 键 词： | 电弧离子镀 脉冲偏压 硬质薄膜 氮化钛铌 相结构 |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）05-0319-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-28 |
| 修稿时间： | 2005年3月28日 |
Effect of Pulsed Bias on Structure of TiNbN Ternary Hard Films Deposited by Arc Ion Plating |
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| Xiao Wei,Zhao Yanhui,Lin Guoqiang,Dong Chuang,Wen Lishi.Effect of Pulsed Bias on Structure of TiNbN Ternary Hard Films Deposited by Arc Ion Plating[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2005,25(5):319-322. |
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| Authors: | Xiao Wei Zhao Yanhui Lin Guoqiang Dong Chuang Wen Lishi |
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| Affiliation: | State Key Laboratory for Materials Modification by Laser, Ion and Electron beams, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Arc ion plating Pulsed bias Hard coating (Ti Nb)N Phase structure |
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