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a-SiNx∶H薄膜退火前后微结构的Raman谱研究
引用本文:岳瑞峰,王燕,韩和相.a-SiNx∶H薄膜退火前后微结构的Raman谱研究[J].真空科学与技术学报,2000,20(4).
作者姓名:岳瑞峰  王燕  韩和相
作者单位:清华大学微电子学研究所!北京100084(岳瑞峰,王燕),中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室!北京100083(韩和相),中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室!北京100083(廖显伯)
基金项目:国家自然科学基金青年基金资助项目! ( 5970 2 0 0 5)
摘    要:采用微区Raman谱 ,并结合红外透射测量研究了等离子体增强化学气相沉积方法制备的不同氮含量的a SiNx∶H样品退火前后TO模及TA模与样品微结构的关系。结果表明 ,氮的引入主要影响了第二近邻以外的中等程序的有序度 ,因而随N含量增加 ,TA模相对于TO模的强度增加且频率有较大的蓝移 ,TO模的频率及半高宽则变化较小。N的引入使得样品在750℃ (高于a Si∶H的晶化温度 )退火时不能结晶。退火引起大量H的逸出 ,使得样品的缺陷态密度大大增加 ,导致TO模和TA模均有大的红移 ,TO模的半高宽也急剧增加 ,并且在 492cm- 1 出现了退火前较难观察到的代表Si3 N呼吸模的振动峰

关 键 词:Raman光谱  红外吸收谱  a-SiH_x∶H合金  振动模式
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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