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| 工艺条件对硼掺杂纳米硅薄膜微结构及力学性能的影响 | |
| 引用本文： | 丁建宁,祁宏山,袁宁一,何字亮,程广贵,范真,潘海彬,王君雄,王秀琴.工艺条件对硼掺杂纳米硅薄膜微结构及力学性能的影响[J].真空科学与技术学报,2009,29(2). |
| 作者姓名： | 丁建宁 祁宏山 袁宁一 何字亮 程广贵 范真 潘海彬 王君雄 王秀琴 |
| 作者单位： | 1. 江苏大学微纳米科学技术研究中心,镇江,212013;江苏工业学院,常州,213016 2. 江苏大学微纳米科学技术研究中心,镇江,212013 3. 江苏工业学院,常州,213016 |
| 基金项目： | 江苏省"六大人才高峰"项目 |
| 摘 要： | 采用射频和直流偏压(RF+DC)双重激励源,在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中成功制备了掺硼纳米硅薄膜.改变衬底温度、射频功率和退火温度几个关键工艺参数,利用拉曼(Raman)谱仪、薄膜测厚仪和原子力显微镜(AFM)对掺硼纳米硅薄膜的微结构进行了分析;应用纳米压痕法研究了艺条件对薄膜弹性模量及硬度等力学性能的影响关系.结果表明:薄膜晶态比、平均晶粒大小随着衬底温度的升高均有增大趋势;射频功率对提高薄膜生长速率存在最优值条件;退火对本征和掺硼薄膜表面形貌特征有较大影响,退火后掺硼薄膜表面粗糙度增大明显.薄膜弹性模量及硬度很大程度上受射频功率和后序处理条件的影响,退火使薄膜的力学性能有所提高.针对实验现象,从薄膜结构方面进行了相关的理论阐释. |
| 关 键 词： | 纳米硅薄膜 掺硼 弹性模量 退火 |
Influence of the Deposition Parameters on the Microstructure and Mechanical Properties of B-doped nc-Si: H Films |
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| Ding Jianning,Qi Hongshan,Yuan Ningyi,He Yuliang,Cheng Guanggui,Fan Zhen,Pan Haibin,Wang Junxiong,Wang Xiuqin.Influence of the Deposition Parameters on the Microstructure and Mechanical Properties of B-doped nc-Si: H Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2009,29(2). | |
| Authors: | Ding Jianning Qi Hongshan Yuan Ningyi He Yuliang Cheng Guanggui Fan Zhen Pan Haibin Wang Junxiong Wang Xiuqin |
| Abstract: | |
| Keywords: | AFM |
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