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碳化硅纳米晶须生长和显微结构
引用本文:韩伟强,范守善,李群庆,顾秉林.碳化硅纳米晶须生长和显微结构[J].材料研究学报,1998,12(3):335-336.
作者姓名:韩伟强  范守善  李群庆  顾秉林
作者单位:清华大学!北京市,100084,清华大学,清华大学,清华大学
基金项目:国家自然科学基金!19704009
摘    要:采用两步生长生在碳化硅纳米晶须,首先是二氧化硅与硅反应生成一氧化硅,再与碳纳米管先驱体反应生成β-SiC纳米晶须,其直径为3~35nm,长度为2~20μm,用高分辨透射电镜研究晶须形貌,显微结构,讨论了碳化硅纳米晶须生长机制。

关 键 词:碳化硅  纳米晶须  生长机制  晶须  显微结构
收稿时间:1998-06-25
修稿时间:1998-06-25

GROWTH AND MICROSTRUCTURE OF SILICON CARBIDE NANORODS
HAN Weiqiang,FAN Shoushan,LI Qunqing,GU Binglin.GROWTH AND MICROSTRUCTURE OF SILICON CARBIDE NANORODS[J].Chinese Journal of Materials Research,1998,12(3):335-336.
Authors:HAN Weiqiang  FAN Shoushan  LI Qunqing  GU Binglin
Affiliation:HAN Weiqiang,FAN Shoushan,LI Qunqing,GU Binglin (Dept. of Physics,Tsinghua University,Beijing )
Abstract:A method of two step reactions for Synthesis SiC nanorods has been reported. First,Sio vapour was generated via the silicon reduction of silica. Second, the generated SiO vapour reacted with carbon nanotubes, which resulted in the growth of the single cry
Keywords:SiC nanorods  carbon nandtubes  growth mechanism  
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