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直流电场作用下的快速粉末渗硅工艺
引用本文:赵爱玲,周正华,谢飞,潘献波,胡静.直流电场作用下的快速粉末渗硅工艺[J].材料保护,2010,43(10).
作者姓名:赵爱玲  周正华  谢飞  潘献波  胡静
作者单位:常州大学材料科学与工程学院,江苏,常州,213164;海安县科学技术局,江苏,南通,226600;常州大学材料科学与工程学院,江苏,常州,213164
基金项目:江苏省高校自然科学基金(06KJB430021); 江苏省大学生实践创新训练计划(SCZ090-5133A)资助
摘    要:为了探讨施加直流电场对固体粉末渗硅渗速的影响,以20钢为基材,通过在渗硅介质与被改性样品间施加直流电场,研究快速粉末渗硅的合适工艺条件,并研究该工艺获得的渗层性能。结果表明:直流电场可降低粉末渗硅温度,显著提高渗硅速度;可使常规粉末渗硅温度从1 050℃以上降低到750℃;加热温度为800℃,直流电流6 A时,20钢的渗硅层厚约85μm;直流电场条件下获得的渗硅层主要由Fe5Si3相组成,在700℃具有良好的抗氧化性能。

关 键 词:粉末渗硅  直流电场  抗氧化  20钢  渗硅速度

Technology for Fast Powder Siliconizing in the Presence of Direct Current Field
ZHAO Ai-ling,ZHOU Zheng-hua,XIE Fei,PAN Xian-bo,HU Jing.Technology for Fast Powder Siliconizing in the Presence of Direct Current Field[J].Journal of Materials Protection,2010,43(10).
Authors:ZHAO Ai-ling  ZHOU Zheng-hua  XIE Fei  PAN Xian-bo  HU Jing
Affiliation:ZHAO Ai-ling1,2,ZHOU Zheng-hua1,XIE Fei1,PAN Xianbo1,HU Jing'(1.School of Materials Science , Engineering,Changzhou University,Changzhou 213164,China,2.Science , Technology Bureau of Haian County of Jiangsu Province,Nantong 226600,China).
Abstract:
Keywords:powder siliconizing  direct current field  oxidation resistance  20 steel  siliconizing rate  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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