| 纳米晶体硅量子点薄膜的制备及表征 |
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| 引用本文： | 张生才,吴成昌,肖夏,王云峰,姚素英,赵新为.纳米晶体硅量子点薄膜的制备及表征[J].纳米技术与精密工程,2007,5(3):211-214. |
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| 作者姓名： | 张生才 吴成昌 肖夏 王云峰 姚素英 赵新为 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学电子信息工程学院,天津,300072
2. 天津大学电子信息工程学院,天津,300072;东京理科大学物理系,东京,1628601 |
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| 摘 要： | 利用激光烧蚀沉积法在n-Si（100）衬底上制备非晶硅（α-Si）薄膜，再经过高温退火技术处理使α-Si晶化成纳米硅晶体（nc—Si）量子点．利用拉曼（naman）L谱仪、X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）以及原子力显微镜（AFM）等测试仪器对nc-Si薄膜进行表征，发现制备的nc-Si量子点排列紧密、尺寸均匀，具有很好的单晶结构，制备的nc-Si薄膜晶化比例很高，并且优先选择在111]方向晶化．
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| 关 键 词： | nc-Si量子点 激光烧蚀 拉曼光谱 X射线衍射仪 透射电子显微镜 原子力显微镜 |
| 文章编号： | 1672-6030（2007）03-0211-04 |
| 修稿时间： | 2006-07-01 |
Preparation and Characterization of Nanocrystalline Silicon Quantum Dots Film |
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| ZHANG Sheng-cai,WU Cheng-chang,XIAO Xia,WANG Yun-feng,YAO Su-ying,ZHAO Xin-wei.Preparation and Characterization of Nanocrystalline Silicon Quantum Dots Film[J].Nanotechnology and Precision Engineering,2007,5(3):211-214. |
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| Authors: | ZHANG Sheng-cai WU Cheng-chang XIAO Xia WANG Yun-feng YAO Su-ying ZHAO Xin-wei |
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| Affiliation: | 1. School of Electronic Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China; 2. Department of Physics, Science University of Tokyo, Tokyo 1628601, Japan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanocrystalline silicon quantum dots laser ablation Raman spectrum XRD TEM AFM |
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