| 电极和基片对高次谐波体声波谐振器参数的影响 |
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| 引用本文： | 张辉,张淑仪.电极和基片对高次谐波体声波谐振器参数的影响[J].声学技术,2004,23(Z2):31-32. |
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| 作者姓名： | 张辉 张淑仪 |
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| 作者单位： | 南京大学声学研究所,近代声学国家重点实验室,南京,210093 |
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| 摘 要： | 1.引言
产生高稳定频率控制信号的器件通常要求在谐振模式上具有高Q值.常用的器件有晶体器件,表面声波器件和微波谐振器件等,但是这些器件常常不能满足应用所要求的性能,有的不能在高频工作,或者Q值达不到所需的要求.高次谐波体声波谐振器(HBAR)是由高Q值的非压电基片、压电薄膜和两个电极构成,压电薄膜作为换能器在基片中激发声波,一定激发频率下会在基片里形成驻波,从而导致整个HBAR器件产生谐振.HBAR在谐振模式有高Q值,并且可以在高频下工作,Q-频率的乘积能超过1014,所以HBAR在频率控制和频率选择方面具有十分优越的性能1].
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Studies of effects of electrodes and substrates on High-overtone Bulk Acoustic Resonator |
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| ZHANG Hui,ZHANG Shuyi.Studies of effects of electrodes and substrates on High-overtone Bulk Acoustic Resonator[J].Technical Acoustics,2004,23(Z2):31-32. |
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| Authors: | ZHANG Hui ZHANG Shuyi |
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