高纯硅烷中痕量CO、CO2、H2O转化色谱分析 |
| |
作者姓名: | 刘梅春 |
| |
作者单位: | 广州半导体材料研究所 |
| |
摘 要: | 本文叙述高纯SiH4中痕量杂质的转化色谱分析条件,装置及流程。通过弱极性有机担体柱有效地将硅烷中ppm级杂质与主组份分离,分离后的主组份经氢气氛下高温还原和电石转化生成烃类,送FID高灵敏检测,当进样量为1毫升,记录仪为1毫伏(250毫米)时,本试验所得灵敏度;CO,0.15vpm/mm;CH4,0.08vpm/mm(j样品直接送FID检测灵敏度);CO2,0.5vpm/mm3H2O,0.3vpm/mm。同时确定了较满意的分析操作参数,提出了相应的分析流程。
|
关 键 词: | CO2 色谱分析 硅烷 高纯 H2O 高灵敏检测 检测灵敏度 分析条件 痕量杂质 SiH4 转化生成 高温还原 50毫米 操作参数 分析流程 FID 氢气氛 进样量 记录仪 CH4 分离 组份 担体 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|