| 纳米碳化硅粉的制备及其微波介电行为 |
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| 引用本文： | 张波,李建保,孙晶晶,张淑霞,翟华嶂.纳米碳化硅粉的制备及其微波介电行为[J].材料工程,2002(1):19-21. |
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| 作者姓名： | 张波 李建保 孙晶晶 张淑霞 翟华嶂 |
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| 作者单位： | 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,清华大学材料科学与工程系,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目 ( 5 9432 0 6 )，清华大学校基础研究项
目 ( JZ0 0 0 9) |
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| 摘 要： | 通过碳热还原法合成了纳米 Si C粉并对其在 8.2～ 12 .4GHz频率范围的介电参数进行了测量。通过改变铝含量和反应气氛分别得到了 β,12 H和 2 1R型碳化硅粉。β- Si C粉具有比 α- Si C粉高得多的相对介电常数ε′r=30～ 5 0 )和介电损耗角正切值 (tgδ =～ 0 .7)。虽然 Al和 N的固溶将 Si C粉的电阻率减小到 10 2 Ω· cm的量级 ,但其相对介电常数和介电损耗却并没有增加 ,反而随 Al含量的增加降低
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| 关 键 词： | 介电性能 缺陷 碳热还原 碳化硅 纳米粉 合成 结构陶瓷 微波烧结 微波吸收剂 微波介电行为 |
| 文章编号： | 1001-4381(2002)01-0019-03 |
| 修稿时间： | 2001年1月12日 |
Nanometer-sized Silicon Carbide Powder Synthesis and its Dielectric Behavior in the Microwave Range |
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| ZHANG Bo,LI Jian bao,SUN Jing jing,ZHANG Shu xia,ZHAI Hua zhang.Nanometer-sized Silicon Carbide Powder Synthesis and its Dielectric Behavior in the Microwave Range[J].Journal of Materials Engineering,2002(1):19-21. |
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| Authors: | ZHANG Bo LI Jian bao SUN Jing jing ZHANG Shu xia ZHAI Hua zhang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | dielectric properties defects carbothermal reduction nanometer sized SiC powder |
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