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| 金刚石薄膜材料的研制进展 | |
| 引用本文： | 刘江龙,邹至荣.金刚石薄膜材料的研制进展[J].材料导报,1991(6):2-5. |
| 作者姓名： | 刘江龙 邹至荣 |
| 作者单位： | 重庆大学 (刘江龙)，重庆大学(邹至荣) |
| 摘 要： | 早期,在低压高温下,沉积金刚石膜主要依赖于通过化学气相沉积工艺使碳氢化物气体发生热分解。苏联科学家在这方面进行了开拓性的工作。在低压下形成的这种膜具有一系列的结构、形态、物理性质特征。它含有较大百分比的石墨碳及其它碳或碳-氢结构。在低压下,甚至形成金刚石薄膜的过渡物——类金刚石碳膜和类金刚石碳氢膜。早期的金刚石生长速率极小,约0.1μm/h,以致于它无多少实用价值。1982年,S.Ma-tsumoto采用热灯丝化学气相沉积法,1983年M.Kamo用微波等离子体化学气相沉积法制 |
| 关 键 词： | 金刚石薄膜 半导体材料 |
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