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| β-Ga2O3及Cr掺杂β-Ga2O3电子结构的第一性原理计算 | |
| 引用本文： | 李伟,梁二军,邢怀中,丁宗玲,陈效双.β-Ga2O3及Cr掺杂β-Ga2O3电子结构的第一性原理计算[J].材料导报,2007,21(Z1):250-252. |
| 作者姓名： | 李伟 梁二军 邢怀中 丁宗玲 陈效双 |
| 作者单位： | 1. 东华大学物理系,上海,201620 2. 东华大学物理系,上海,201620;郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052 3. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
| 基金项目： | 东华大学校科研和教改项目，河南省高校杰出科研创新人才工程项目 |
| 摘 要： | 运用第一性原理密度泛函理论(DFT)计算了不同交换关联势下单斜晶系β-Ga2O3的总能量、晶格常数、总态密度、分波态密度及能带结构.理论计算结果表明:单斜晶系β-Ga2O3在局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)下的晶格常数和带隙与实验值基本相符,其中LDA近似得到的晶格常数与实验值更接近;β-Ga2O3比六方晶系结构的α-Ga2O3更加稳定,但带隙比α-Ga2O3略小;Cr掺杂导致β-Ga2O3禁带宽度变小,费米能级处的态密度不为零,即变为半金属. |
| 关 键 词： | β-Ga2O3 电子结构 第一性原理 铬掺杂 |
First-principles Calculation of Electronic Structures of β-Ga2O3 and Cr-Doped β-Ga2O3 |
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| LI Wei,LIANG Erjun,XING Huaizhong,DING Zongling,CHEN Xiaoshuang.First-principles Calculation of Electronic Structures of β-Ga2O3 and Cr-Doped β-Ga2O3[J].Materials Review,2007,21(Z1):250-252. | |
| Authors: | LI Wei LIANG Erjun XING Huaizhong DING Zongling CHEN Xiaoshuang |
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