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| 原子层沉积氧化锌应用于铜铟镓硒太阳能电池缓冲层的研究 | |
| 引用本文： | 廖荣,张海燕,谢佳亮,杨铁铮,罗文中,胡伟.原子层沉积氧化锌应用于铜铟镓硒太阳能电池缓冲层的研究[J].材料导报,2013,27(12):27-30. |
| 作者姓名： | 廖荣 张海燕 谢佳亮 杨铁铮 罗文中 胡伟 |
| 作者单位： | 1. 广东工业大学材料与能源学院,广州510090;华南理工大学电子与信息学院,广州510641 2. 广东工业大学材料与能源学院,广州,510090 3. 华南理工大学电子与信息学院,广州,510641 |
| 基金项目： | 广东省大学生创新实验项目，广东省科技计划项目 |
| 摘 要： | 用原子层沉积法在钠钙玻璃上沉积氧化锌薄膜,利用场发射扫描电镜和X射线衍射(XRD)等对样品表面形貌和物相进行分析,结果表明得到的ZnO纳米颗粒为六角纤锌矿结构,颗粒的尺寸在30～60nm之间;测得的ZnO薄膜厚度仅50nm,符合缓冲层要求;薄膜在可见光区域透射率达90%以上;使用原子层沉积氧化锌薄膜作铜铟镓硒太阳能电池的缓冲层,TEM显示氧化锌层完好、致密地覆盖在CIGS层上,电池的光电转换效率较高,完全可以替代有毒的CdS作缓冲层。 |
| 关 键 词： | 原子层沉积 氧化锌薄膜 铜铟镓硒太阳能电池 缓冲层 |
Study on Application of Atomic Layer Depositing Zinc Oxide for Buffer Layer to Copper Indium Gallium Selenium Solar Battery |
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| LIAO Rong,ZHANG Haiyan,XIE Jialiang,YANG Tiezheng,LUO Wenzhong,HU Wei.Study on Application of Atomic Layer Depositing Zinc Oxide for Buffer Layer to Copper Indium Gallium Selenium Solar Battery[J].Materials Review,2013,27(12):27-30. | |
| Authors: | LIAO Rong ZHANG Haiyan XIE Jialiang YANG Tiezheng LUO Wenzhong HU Wei |
| Affiliation: | 1 School of Materials and Energy,Guangdong University of Technology,Guangzhou 510090;2 School of Electronic and Information Engineering,South China University of Technology,Guangzhou 510641) |
| Abstract: | |
| Keywords: | atomic layer deposition zinc oxide thin film copper indium gallium selenium solar battery buffer layer |
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