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| 催化剂辅助化学气相沉积法制备InN纳米线 | |
| 引用本文： | 郑春蕊.催化剂辅助化学气相沉积法制备InN纳米线[J].材料导报,2013(1):4-5. |
| 作者姓名： | 郑春蕊 |
| 摘 要： | 采用催化剂辅助化学气相沉积法，通过固-液-气（V-L-S）机理控制在硅衬底上制备了高质量的InN纳米线。利用FESEM、XRD、HRTEM对制备的InN纳米线的表面形貌和结构进行了表征。分析表明合成的InN纳米线为标准的六方纤锌矿结构，纳米线沿102]方向生长。室温PL光谱表明，制备的InN纳米线在1580rlIn（... |
| 关 键 词： | INN 纳米线化 学气相沉积 |