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| 磁控溅射制备铁掺杂氮化铜薄膜的研究 | |
| 引用本文： | 李兴鳌,刘祖黎,左安友,袁作彬,杨建平,姚凯伦.磁控溅射制备铁掺杂氮化铜薄膜的研究[J].材料导报,2006,20(12):141-143. |
| 作者姓名： | 李兴鳌 刘祖黎 左安友 袁作彬 杨建平 姚凯伦 |
| 作者单位： | 1. 华中科技大学物理系,武汉,430074;湖北民族学院理学院,恩施,445000 2. 华中科技大学物理系,武汉,430074 3. 湖北民族学院理学院,恩施,445000 |
| 摘 要： | 采用反应磁控溅射法在氮气分压0.5Pa、基底温度100℃条件下,在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜.XRD显示氮化铜薄膜择优(111)晶面生长,铁掺杂使氮化铜薄膜的结晶程度减弱.AFM显示铁掺杂使氮化铜薄膜粗糙度增加.铁掺杂不同程度地提高了氮化铜薄膜的沉积速率和电阻率. |
| 关 键 词： | 氮化铜薄膜 磁控溅射 电阻率 |
Study on Fe-doped Copper Nitride Films by Reactive Magnetron Sputtering |
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| LI Xingao,LIU Zuli,ZUO Anyou,YUAN Zuobin,YANG Jianping,YAO Kailun.Study on Fe-doped Copper Nitride Films by Reactive Magnetron Sputtering[J].Materials Review,2006,20(12):141-143. | |
| Authors: | LI Xingao LIU Zuli ZUO Anyou YUAN Zuobin YANG Jianping YAO Kailun |
| Affiliation: | 1.Department of Physics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074; 2. Schoool of Science, Hubei Institute for Nationalities, Enshi 445000 |
| Abstract: | |
| Keywords: | copper nitride film magnetron sputtering resistivity |
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