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集成电路用铜基引线框架材料的发展与展望
引用本文:李银华,刘平,田保红,贾淑果,任凤章,张毅.集成电路用铜基引线框架材料的发展与展望[J].材料导报,2007,21(7):24-26,47.
作者姓名:李银华  刘平  田保红  贾淑果  任凤章  张毅
作者单位:1. 河南科技大学材料科学与工程学院,洛阳,471003
2. 河南科技大学材料科学与工程学院,洛阳,471003;西安理工大学材料科学与工程学院,西安,710048
3. 西安理工大学材料科学与工程学院,西安,710048
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划),国家自然科学基金,河南省杰出青年科学基金
摘    要:综述了集成电路对铜基引线框架材料的性能要求,指出好的导电导热和强度性能是引线框架材料最主要的性能要求;讨论了铜基引线框架材料的国内外研究现状,指出我国的引线框架材料无论是质量还是数量都与其他工业发达国家有很大的差距,并指出微合金化铜基材料具有成为高强高导引线框架材料的潜力.

关 键 词:集成电路  铜基引线框架  微合金化  强度  导电率

Development and Expectation of Copper-based Lead Frame Material Used in Intergrated Circuit
LI Yinhua,LIU Ping,TIAN Baohong,JIA Shuguo,REN Fengzhang,ZHANG Yi.Development and Expectation of Copper-based Lead Frame Material Used in Intergrated Circuit[J].Materials Review,2007,21(7):24-26,47.
Authors:LI Yinhua  LIU Ping  TIAN Baohong  JIA Shuguo  REN Fengzhang  ZHANG Yi
Abstract:
Keywords:intergrated circuit  copper-based lead frame  micro alloying  strength  conductivity
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
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