直流磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜及性能研究 |
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引用本文: | 张化福,类成新,刘汉法,袁长坤.直流磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜及性能研究[J].材料导报,2009(6). |
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作者姓名: | 张化福 类成新 刘汉法 袁长坤 |
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作者单位: | 山东理工大学物理与光电信息技术学院; |
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基金项目: | 山东理工大学功能材料创新团队支持计划项目(2006) |
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摘 要: | 利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。研究了厚度对薄膜结构及光电性能的影响。研究结果表明,厚度对薄膜的结构和电学性能有很大的影响。制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有c轴择优取向。在厚度为593nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.9×10-3Ω·cm。所制备薄膜样品的可见光平均透过率都超过93%。
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关 键 词: | ZnO∶Zr薄膜 磁控溅射 薄膜厚度 透明导电薄膜 |
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