| 脉冲激光沉积法制备β-FeSi_2半导体薄膜 |
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| 引用本文： | 马玉英,刘爱华,许士才,郭进进,侯娟,满宝元.脉冲激光沉积法制备β-FeSi_2半导体薄膜[J].材料导报,2011,25(16). |
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| 作者姓名： | 马玉英 刘爱华 许士才 郭进进 侯娟 满宝元 |
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| 作者单位： | 山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,济南,250014 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(1087410311047161); 山东省自然科学基金(Y2007A05) |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积(PLD)法在p型Si(100)衬底上制备了β-FeSi2半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线衍射仪、3D显微镜、原子力电子显微镜、荧光光谱仪分析了实验样品的晶体结构、表面形貌、元素组成、红外吸收和光致发光特性。分析实验结果发现,制备的单相β-FeSi2多晶半导体薄膜结晶质量良好,β-FeSi2在Si(100)衬底上沿(202/220)方向择优生长,且在常温下测得了β-FeSi2半导体薄膜的光致发光谱。
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| 关 键 词： | β-FeSi2薄膜 PLD 光致发光 3D显微分析 |
β-FeSi2 Semiconductor Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition |
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| MA Yuying,LIUAihua,XU Shicai,GUO Jinjin,HOU Juan,MAN Baoyuan.β-FeSi2 Semiconductor Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition[J].Materials Review,2011,25(16). |
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| Authors: | MA Yuying LIUAihua XU Shicai GUO Jinjin HOU Juan MAN Baoyuan |
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| Affiliation: | MA Yuying,LIU Aihua,XU Shicai,GUO Jinjin,HOU Juan,MAN Baoyuan (Institute of Semiconductors,College of Physics and Electronics,Shandong Normal University,Jinan 250014) |
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| Abstract: | |
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