| 磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响 |
| |
| 引用本文： | 骆旭梁,王思源,王宙,雍帆,付传起.磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响[J].材料导报,2016,30(2):53-55, 84. |
| |
| 作者姓名： | 骆旭梁 王思源 王宙 雍帆 付传起 |
| |
| 作者单位： | 大连大学表面工程中心,大连,116622 |
| |
| 基金项目： | 金州新区科技计划高新技术研究开发计划·培育专项(2013-GX1-002) |
| |
| 摘 要： | 采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1%时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55μm,晶化率为96.82%,且晶粒的均匀性最佳。
|
| 关 键 词： | 真空蒸镀 多晶硅薄膜 磷掺杂 晶化率 |
Effect of Phosphorus Content on Phosphorus-doped Polycrystalline Silicon Thin Films Prepared by Vacuum Evaporation |
| |
| LUO Xuliang,WANG Siyuan,WANG Zhou,YONG Fan,FU Chuanqi.Effect of Phosphorus Content on Phosphorus-doped Polycrystalline Silicon Thin Films Prepared by Vacuum Evaporation[J].Materials Review,2016,30(2):53-55, 84. |
| |
| Authors: | LUO Xuliang WANG Siyuan WANG Zhou YONG Fan FU Chuanqi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | vacuum evaporation polycrystalline silicon thin film phosphorus doping crystalline volume fraction |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《材料导报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《材料导报》下载全文 |
|
