| 脉冲激光沉积AlN薄膜的结构表征和性能研究进展 |
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| 引用本文： | 谢尚晻,何欢,符跃春.脉冲激光沉积AlN薄膜的结构表征和性能研究进展[J].材料导报,2010,24(11). |
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| 作者姓名： | 谢尚晻 何欢 符跃春 |
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| 作者单位： | 广西大学材料科学与工程学院,有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,南宁,530004;广西大学材料科学与工程学院,有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,南宁,530004;广西大学材料科学与工程学院,有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,南宁,530004 |
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| 摘 要： | 脉冲激光沉积法(PLD)以其低温成膜优势被公认为是宽禁带半导体AIN薄膜的优选制备方法.获得高质量的AIN薄膜需要最佳的薄膜/衬底匹配和工艺参数.综述了各种常见异质外延衬底与AlN薄膜的取向关系,分析了影响薄膜质量的工艺因素,介绍了薄膜在电、光、热方面的性能研究现状,并指出了今后工作的方向.
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 AlN薄膜 衬底 工艺参数 性能 |
Development of Structural Characterization and Properties of AIN Film Prepared by Pulsed Laser Deposition |
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| XIE Shangsheng,HE Huan,FU Yuechun.Development of Structural Characterization and Properties of AIN Film Prepared by Pulsed Laser Deposition[J].Materials Review,2010,24(11). |
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| Authors: | XIE Shangsheng HE Huan FU Yuechun |
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