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氧化钨基半导体气体传感器的研究进展
引用本文:王杰,耿欣,张超.氧化钨基半导体气体传感器的研究进展[J].材料导报,2016,30(1):14-18, 32.
作者姓名:王杰  耿欣  张超
作者单位:扬州大学机械工程学院,扬州,225127
基金项目: 国家自然科学基金青年科学基金(51402255);江苏省基础研究计划-青年基金(BK20140487)
摘    要:近年来,氧化钨(WO_3)基半导体气体传感器由于可用来检测低浓度二氧化氮、二氧化硫、臭氧和氨气等气体而受到广泛关注。将WO_3基材料分为4类:纯WO_3材料、氧化物-WO_3复合材料、贵金属-WO_3复合材料和有机物-WO_3复合材料,总结近年来中外文献中WO_3基材料对不同气体的响应性能,展现近年来国内外WO_3基半导体气体传感器的研究进展。最后根据已有的工作进展,提出合成新型纳米材料、降低工作温度、提高传感器选择性应成为WO_3基半导体气体传感器下一阶段的研究重点。

关 键 词:氧化钨  气体传感器  气敏性能
收稿时间:2015/5/28 0:00:00
修稿时间:9/8/2015 12:00:00 AM

Advance in Tungsten Oxide-based Semiconductor Gas Sensors
WANG Jie,GENG Xin,ZHANG Chao.Advance in Tungsten Oxide-based Semiconductor Gas Sensors[J].Materials Review,2016,30(1):14-18, 32.
Authors:WANG Jie  GENG Xin  ZHANG Chao
Abstract:WO3 based semiconductor gas sensor attracts much attention nowadays. It is widely used for detection of NO2, O3, H2S, NH3 etc. In this review, WO3 based semiconductor gas sensors are categorized into four types: pure WO3, composite oxide, noble metal activated metal oxides and polymer-metal oxides. This review presents new advancements in sensing properties of the four-type WO3 based semiconductor gas sensors. Based the published results, it is suggested that development of new nanostructured materials, reduction in working temperature and improvement in selectivity should be emphasized for the future work on WO3 based gas sensors.
Keywords:tungsten oxide  gas sensor  sensing properties
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