| 微晶硅渐变带隙太阳电池的模拟计算研究 |
| |
| 引用本文： | 韩兵,周炳卿,郝丽媛,王立娟,那日苏.微晶硅渐变带隙太阳电池的模拟计算研究[J].材料导报,2010,24(12). |
| |
| 作者姓名： | 韩兵 周炳卿 郝丽媛 王立娟 那日苏 |
| |
| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特,010022;内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特,010022;内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特,010022;内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特,010022;内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特,010022 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，内蒙古自然科学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 运用AMPS软件结合相关实验数据,利用微晶硅带隙与材料晶相比的关系,对pin型微晶硅薄膜太阳电池i层带隙渐变结构的总光生载流子产额、载流子复合速率等参数进行了模拟,并与普通pin型微晶硅薄膜太阳电池进行了对比分析.结果表明,一方面带隙渐变结构增加了进入微晶硅i层作为活性层的光吸收;另一方面渐变各层之间存在缺陷和复合中心,影响载流子收集.对于带隙递增型微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池,当i层总厚度为1.2μm时.其光电转化效率为14.843%.
|
| 关 键 词： | 渐变带隙 微晶硅 太阳电池 |
Study on Simulation of Graded Band-gap Pin-type Microcrystalline Silicon Thin-film Solar Cells |
| |
| HAN Bing,ZHOU Bingqing,HAO Liyuan,WANG Lijuan,NA Risu.Study on Simulation of Graded Band-gap Pin-type Microcrystalline Silicon Thin-film Solar Cells[J].Materials Review,2010,24(12). |
| |
| Authors: | HAN Bing ZHOU Bingqing HAO Liyuan WANG Lijuan NA Risu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
