| 英寸级少层MoS2薄膜的低温可控制备 |
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| 引用本文： | 郭才胜,吴隽,牛犇,熊芬,祝柏林,黄成斌,刘静. 英寸级少层MoS2薄膜的低温可控制备[J]. 材料导报, 2021, 35(12): 12039-12043. DOI: 10.11896/cldb.20040237 |
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| 作者姓名： | 郭才胜 吴隽 牛犇 熊芬 祝柏林 黄成斌 刘静 |
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| 作者单位： | 武汉科技大学材料与冶金学院,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉430081 |
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| 摘 要： | 大面积二硫化钼(MoS2)薄膜的可控制备是其走向应用的关键环节,尤其是少层及P型电导的MoS2,对于器件应用具有重要意义,但鲜有文献报道.本工作采用室温射频(RF)磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了英寸级的少层MoS2薄膜,并经低温退火,实现了大面积较高质量的MoS2薄膜可控制备.原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和紫外可见吸收光谱(UV-vis)分析结果表明:所制得的大面积超薄薄膜为3层的多晶膜,厚度约2.2 nm,且均匀、平整、可控,薄膜结晶性好、稳定性高.使用同样的工艺在Si/SiO2基片上制备少层MoS2薄膜,并将其制成背栅场效应晶体管(TFT),电学表征表明该薄膜呈现P型导电特征,载流子迁移率为0.183 cm2·V-1·s-1.本工作提供了一种大面积少层MoS2薄膜的可控制备方法,而且制备温度低,工艺简单且兼容性强,易实现大规模工业化生产.
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| 关 键 词： | MoS2 低温硫化退火 大面积制备 场效应晶体管 |
Controllable Preparation of Inch-Size MoS2 Few-Layer Thin Films at Low Temperature |
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| GUO Caisheng,WU Jun,NIU Ben,XIONG Fen,ZHU Bailin,HUANG Chengbin,LIU Jing. Controllable Preparation of Inch-Size MoS2 Few-Layer Thin Films at Low Temperature[J]. Materials Review, 2021, 35(12): 12039-12043. DOI: 10.11896/cldb.20040237 |
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| Authors: | GUO Caisheng WU Jun NIU Ben XIONG Fen ZHU Bailin HUANG Chengbin LIU Jing |
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