| 相场法模拟GaAs衬底上InGaAs异质结表面形貌 |
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| 引用本文： | 王冠,翁燕华,吴平平.相场法模拟GaAs衬底上InGaAs异质结表面形貌[J].材料导报,2018,32(Z1):547-552. |
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| 作者姓名： | 王冠 翁燕华 吴平平 |
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| 作者单位： | 厦门工学院材料科学与工程系 |
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| 基金项目： | 福建省中青年教师教育科研项目科技类(JA14370)；福建省高校杰出青年科研人才培育计划2016 |
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| 摘 要： | 本工作采用相场法模拟GaAs衬底上生长的In_(0.3)Ga_(0.7)As多层异质结构薄膜表面。通过引入多序参量,使用半隐性傅里叶谱方法求解Cahn-Hilliard方程可以求得带缓冲层结构的薄膜表面形貌。计算结果模拟了薄膜生长过程,研究显示,使用In0.15-Ga0.85As缓冲层,厚度从1nm增加到4nm,薄膜表面临界波长从34nm提升到80nm。随着缓冲层的厚度从1nm增加到10nm,使用正弦波表面的模拟结果显示,薄膜表面粗糙度从2.87nm下降到0.43nm,随机叠加波表面的模拟结果也类似,表面粗糙度从1.21nm下降到0.18nm。热力学分析和应变分布分析可以解释缓冲层对薄膜表面形貌演化的作用。该模拟计算方式对设计缓冲层结构有很大的帮助,模拟计算的结果可以与实验相比对。
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| 关 键 词： | 相场 InGaAs异质结 表面形貌 缓冲层 |
Phase Field Simulation on the Morphology of InGaAs Heterostructureon GaAs Substrate |
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| WANG Guan,WENG Yanhua and WU Pingping.Phase Field Simulation on the Morphology of InGaAs Heterostructureon GaAs Substrate[J].Materials Review,2018,32(Z1):547-552. |
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| Authors: | WANG Guan WENG Yanhua and WU Pingping |
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| Affiliation: | Department of Materials Science and Engineering, Xiamen Institute of Technology, Xiamen 361021,Department of Materials Science and Engineering, Xiamen Institute of Technology, Xiamen 361021 and Department of Materials Science and Engineering, Xiamen Institute of Technology, Xiamen 361021 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | phase field InGaAs heterostructure surface morphology buffer layer |
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