| Cl浓度对ZnS:Cl电子结构和光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 郭艳蕊,宋庆功,李玉琦,严慧羽,刘冶.Cl浓度对ZnS:Cl电子结构和光学性质的影响[J].材料导报,2010,24(12). |
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| 作者姓名： | 郭艳蕊 宋庆功 李玉琦 严慧羽 刘冶 |
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| 作者单位： | 中国民航大学理学院,天津,300300;河南科技学院机电学院,新乡,453003 |
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| 基金项目： | 中国民航大学理学基金，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了不同浓度Cl掺杂ZnS的电子结构和光学性质.结果表明,掺杂后带隙随杂质浓度的增大而减小,价带变窄,杂质能级展宽;Cl浓度的增大使ZnS:Cl在可见光区的吸收范围增大,吸收增强,光学吸收边出现红移,且在蓝光区形成一个新的吸收峰,与实验结果吻合,新吸收峰随着掺杂浓度的增大出现红移.
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| 关 键 词： | 第一性原理 ZnS 光学性质 |
The Influences of Cl Doping Concentration on the Electronic Structure and Optical Properties of ZnS : Cl |
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| GUO Yanrui,SONG Qinggong,LI Yuqi,YAN Huiyu,LIU Ye.The Influences of Cl Doping Concentration on the Electronic Structure and Optical Properties of ZnS : Cl[J].Materials Review,2010,24(12). |
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| Authors: | GUO Yanrui SONG Qinggong LI Yuqi YAN Huiyu LIU Ye |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnS |
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