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| GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用 | |
| 引用本文： | 王三胜,顾彪,徐茵,秦福文,窦宝锋,杨大智.GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用[J].材料导报,2002,16(1):31-35. |
| 作者姓名： | 王三胜 顾彪 徐茵 秦福文 窦宝锋 杨大智 |
| 作者单位： | 1. 大连理工大学电气工程与应用电子技术系 2. 大连理工大学电气工程与应用电子技术系;三束材料改性国家重点实验室 3. 三束材料改性国家重点实验室;材料科学与工程系大连,116024 |
| 基金项目： | 国家863项目新材料领域课题(715-011-0033)，国家自然科学基金(69976008) |
| 摘 要： | GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点，在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器的高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。介绍了GaN基半导体材料的制备方法，异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用，并讨论了今后的发展趋势。 |
| 关 键 词： | GaN 外延生长 掺杂 半导体器件 光电器件 半导体材料 制备 氮化镓 |
Growth Methods of GaN-Based Semiconductor Materials and Their Applications in Optoelectronic Devices |
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| WANG Sansheng GU Biao XU Yin QIN Fuwen DOU Baofeng YANG Dazhi.Growth Methods of GaN-Based Semiconductor Materials and Their Applications in Optoelectronic Devices[J].Materials Review,2002,16(1):31-35. | |
| Authors: | WANG Sansheng GU Biao XU Yin QIN Fuwen DOU Baofeng YANG Dazhi |
| Abstract: | GaN have the characteristics of wide bandgap,high thermal conductivity,large electron saturation shift velocity and low dielectric constant.They have wide applications in fields such as high brightness light emitting diodes,short wavelength laser diodes,high performance UV detector,and high temperature,high frequency,large power semiconductor devices.This paper introduces the growth methods and heterostructure of GaN semiconductor materials and their applications in optoelectronic and microelctronic fields,followed by our opinions on further studies. |
| Keywords: | GaN epitaxy growth doping semiconductor devices |
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