| Mg2Si半导体薄膜的磁控溅射制备 |
| |
| 引用本文： | 肖清泉,谢泉,余志强,赵珂杰.Mg2Si半导体薄膜的磁控溅射制备[J].材料导报,2010,24(18). |
| |
| 作者姓名： | 肖清泉 谢泉 余志强 赵珂杰 |
| |
| 作者单位： | 贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025;贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025;贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025;贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，科技部国际合作专项项目，贵州省信息产业厅项目，贵州省科学技术基金，贵阳市科学技术项目 |
| |
| 摘 要： | 采用磁控溅射技术和退火工艺制备出Mg2Si半导体薄膜,研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响.首先在Si(111)衬底上溅射沉积380nm Mg膜,然后在退火炉内氩气氛围500℃退火,退火时间分别为3.5h、4.5h、5.0h、5.5h、6.0h.采用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和形貌进行了表征.结果表明,采用磁控溅射方法成功地制备了环境友好的半导体Mg2Si薄膜.Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性,最强衍射峰出现在40.12°位置;随着退火时间的延长,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度先逐渐增强后逐渐减弱,退火5h后,样品的衍射峰最强.Mg2Si晶粒随着退火时间的延长,先逐渐增大,退火5h后逐渐减小.
|
| 关 键 词： | Mg2Si薄膜 择优生长 磁控溅射 退火 |
Fabrication of Semiconducting Mg2Si Films by Magnetron Sputtering |
| |
| XIAO Qingquan,XIE Quan,YU Zhiqiang,ZHAO Kejie.Fabrication of Semiconducting Mg2Si Films by Magnetron Sputtering[J].Materials Review,2010,24(18). |
| |
| Authors: | XIAO Qingquan XIE Quan YU Zhiqiang ZHAO Kejie |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
