| 基于CF_4/Ar高密度感应耦合等离子体的BZN薄膜的刻蚀工艺研究 |
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| 引用本文： | 王刚,李威,李平,李祖雄,范雪,姜晶.基于CF_4/Ar高密度感应耦合等离子体的BZN薄膜的刻蚀工艺研究[J].材料导报,2012,26(18):1-3,13. |
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| 作者姓名： | 王刚 李威 李平 李祖雄 范雪 姜晶 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 基金项目： | 电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金，国家科技重大专项项目 |
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| 摘 要： | 使用CF4/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究。分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的增大而线性增加的趋势。研究结果表明,使用CF4/Ar感应耦合等离子体对BZN薄膜进行刻蚀的机理为物理辅助的化学反应刻蚀。BZN薄膜的最佳刻蚀工艺参数为CF4/Ar流量比3/2、总流量25sccm、工作压强1.33Pa、ICP功率800W,使用此参数对BZN薄膜进行刻蚀,最大刻蚀速率为26nm/min,刻蚀后薄膜边缘齐整、表面光滑、形状完整。
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| 关 键 词： | BZN薄膜 感应耦合等离子体 干法刻蚀 刻蚀速率 表面形貌 |
Study on Etching of BZN Thin Films Based on CF4/Ar High Density Inductively Coupled Plasma |
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| WANG Gang
,
LI Wei
,
LI Ping
,
LI Zuxiong
,
FAN Xue
,
JIANG Jing.Study on Etching of BZN Thin Films Based on CF4/Ar High Density Inductively Coupled Plasma[J].Materials Review,2012,26(18):1-3,13. |
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| Authors: | WANG Gang LI Wei LI Ping LI Zuxiong FAN Xue JIANG Jing |
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| Affiliation: | (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054) |
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