退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响 |
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作者姓名: | 刘兴阶 刘卫忠 |
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摘 要: | 用RF磁控溅射法,在纯Ar气中,硅基片不加热的情况下,制备了Ba铁氧化薄膜,研究了退火温度对薄膜C轴垂直取向、结构及磁特性的影响,结果表明薄膜在700℃氧气中退火可获得良好C轴垂直膜同的择优取向,该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为Ms=296emu/cm^3,Hc=308761A/m。退火温度过低或过高,都不利于形成C轴垂直膜面的择优取向。
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关 键 词: | 铁氧体 薄膜 射频磁控溅射 退火 钡铁氧体 |
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