Mo/α—Al2O3界面的二次离子质谱研究 |
| |
引用本文: | 岳瑞峰,王佑祥.Mo/α—Al2O3界面的二次离子质谱研究[J].真空科学与技术,1997,17(4):233-238. |
| |
作者姓名: | 岳瑞峰 王佑祥 |
| |
摘 要: | 采用电子束蒸发方法,在200℃的抛光(1102)取向的蓝宝石(α-Al2O3)单晶衬底上淀积厚度为300nm的Mo膜。经870℃下不同真空退火时间处理后,运用MCs^+-SIMS技术进行了深度剖析,并结合XRD物相分析,对Mo/Al2O3界面问题进行了探讨。结果表明,在Mo/Al2O3界面处存在原子相互扩散形成的过渡层。退火处理后,过渡层展宽,有MoO2生成。延长退火时间,过渡层变化不大。
|
关 键 词: | 界面 质谱 SIMS 钼 薄膜 半导体 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|