|
|||||
|
|
| 硅、锗材料在Si（100）表面的生长研究 | |
| 作者姓名： | 汪雷 王学森 等 |
| 作者单位： | [1]浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027 [2]香港科技大学物理系，香港九龙清水湾 |
| 摘 要： | 利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si（100）表面生长Si，Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明：Si在Si（100）表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si（100）表面生长形成规则的三维小岛，而在Si/Ge/Si（100）多层膜上生长则形成大小二种三维岛，研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构。 |
| 关 键 词： | 锗 硅 扫描隧道显微镜 半导体材料 表面生长 半导体薄膜 结构 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |