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| a—SiNx：H薄膜退火前后微结构的Raman谱研究 | |
| 作者姓名： | 岳瑞峰 韩和相 |
| 作者单位： | [1]清华大学微电子学研究所 [2]中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室 |
| 摘 要： | 采用微区Ｒａｍａｎ谱，并结合红外透射测量研究了等离子体增强化学气相沉积方法制备的不同氮含量的ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ样品退火前后ＴＯ模及ＴＡ模与样品微结构的关系。结果表明，氮的引入主要影响了第二近邻以外的中等程序的有序度，因而随Ｎ含量增加，ＴＡ模相对于ＴＯ模的强度增加且频率有较大的蓝移，ＴＯ模的频率及半高宽则变化较小。Ｎ的引入使得样品在７５０℃退火时不能结晶。退火引起大量Ｈ的逸出，使得样品的缺陷态度大大增 |
| 关 键 词： | Raman光谱 振动模式 a－SiHx：H薄膜 退火 微结构 |
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