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半导体桥的研究进展与发展趋势
引用本文:张文超,张伟,徐振相,秦志春,周彬,叶家海,田桂蓉.半导体桥的研究进展与发展趋势[J].爆破器材,2009,38(2):21-24.
作者姓名:张文超  张伟  徐振相  秦志春  周彬  叶家海  田桂蓉
作者单位:南京理工大学化工学院,江苏南京,210094;南京理工大学化工学院,江苏南京,210094;南京理工大学化工学院,江苏南京,210094;南京理工大学化工学院,江苏南京,210094;南京理工大学化工学院,江苏南京,210094;南京理工大学化工学院,江苏南京,210094;南京理工大学化工学院,江苏南京,210094
基金项目:国家自然科学基金,重点实验室基金 
摘    要:文章系统地综述了半导体桥芯片的研究现状和半导体桥点火性能测试的研究进展,并对半导体桥的发展趋势以及应用前景进行了分析和展望,指出今后应当对反应式半导体桥和其它新型半导体桥的设计、制备及点火机理进行研究。

关 键 词:火工品  半导体桥  半导体技术  发展方向

Progress and Development on Semiconductor Bridge Initiator
ZHANG Wenchao,ZHANG Wei,XU Zhenxiang,QIN Zhichun,ZHOU Bin,YE Jiahai,TIAN Guirong.Progress and Development on Semiconductor Bridge Initiator[J].Explosive Materials,2009,38(2):21-24.
Authors:ZHANG Wenchao  ZHANG Wei  XU Zhenxiang  QIN Zhichun  ZHOU Bin  YE Jiahai  TIAN Guirong
Affiliation:Jiangsu Nanjing;210094
Abstract:The progresses of semiconductor bridge chip and its ignition characteristic measurement have been summarized systematically.The development trend and applied prospect have been analyzed for the semiconductor bridge chip.It is pointed out that design,manufacture and firing mechanism of the reactive SCB and the other composite SCB should be investigated in the future.
Keywords:initiating device  semiconductor bridge  semiconductor technology  development direction  
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